加速磁性随机存储器芯片MRAM

致真存储科技有限公司，位于京华之地，自2019年7月崭露头角，致力于MRAM芯片的研发与制造。团队历经多年的努力，突破重重技术难关，成功研发出高隧穿磁阻效应的磁隧道结，成为国内MRAM领域的佼佼者。致真存储科技有限公司致力于MRAM芯片的研发和制造，始终秉持着科技创新的精神。其产品的高隧穿磁阻效应使得其在MRAM芯片领域具有领先地位。公司拥有国内首创的8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线，实现了产品全流程的自主可控制。致真存储科技有限公司自成立以来，始终致力于MRAM芯片的研发和制造。其研发团队经过多年的积累与沉淀，成功研发出高隧穿磁阻效应的磁隧道结。该芯片的研发成功不仅体现了公司的技术实力，更是对MRAM技术进步的重要贡献。公司的研发成果体现在其关键指标上，达到了国际领先水平。无论是器件的性能还是稳定性，都达到了业界领先的水平。此外，公司还拥有国内首创的8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线，为产品的生产提供了强有力的支持。致真存储科技有限公司以其卓越的技术实力和创新能力，成为了MRAM芯片领域的佼佼者。其未来将继续致力于MRAM芯片的研发与制造，为全球MRAM技术的发展做出更大的贡献。