加速磁性随机存储器芯片MRAM

致真存储（北京）科技有限公司：加速磁性随机存储器芯片MRAM的研发与制造

公司简介

致真存储（北京）科技有限公司（以下简称“致真存储”）成立于2019年7月，是一家专注于磁性随机存储器芯片（MRAM）的研发和制造的高新技术企业。公司汇聚了行业内的优秀人才，通过持续的技术创新和研发投入，不断推动MRAM技术的发展和应用。

MRAM技术介绍

MRAM，即磁性随机存储器芯片，是一种非易失性存储器，因其高速、高可靠性及低功耗等特点而受到广泛关注。致真存储团队历经十余年的研究，成功研发了高隧穿磁阻效应的磁隧道结，这一技术突破为MRAM的进一步发展奠定了坚实基础。

技术优势与突破

致真存储在MRAM技术领域取得了显著的成果，其关键指标达到国际领先水平。公司自主开发的80nm以下MRAM核心器件，体现了公司在小型化、高精度制造方面的技术实力。此外，公司还建立了国内首创的8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线，实现了产品全流程的自主创新与可控性。

研发实力与成果

致真存储拥有一支高素质的研发团队，他们在MRAM技术研发方面积累了丰富的经验。公司通过持续的技术创新和研发投入，不断推出具有市场竞争力的产品。公司的研发成果在国内外市场上得到了广泛应用，为客户提供了高性能、高可靠的存储解决方案。

公司愿景与目标

致真存储致力于成为全球领先的MRAM技术研发和制造企业。公司将继续加大研发投入，优化产品性能，提高生产效率，降低生产成本，以更具竞争力的产品满足市场需求。同时，公司还将积极拓展国际市场，与全球客户建立长期、稳定的合作关系，共同推动MRAM技术的发展和应用。

发展前景

随着信息技术的飞速发展，存储器市场需求不断增长。致真存储在MRAM技术领域的突破和成果，为公司的发展奠定了坚实基础。未来，公司将紧跟市场需求，不断推出具有自主知识产权的高新技术产品，助力中国半导体产业的快速发展。

总的来说，致真存储（北京）科技有限公司在MRAM技术研发和制造方面取得了显著成果，为公司的发展奠定了坚实基础。未来，公司将继续加大研发投入，拓展市场，为全球的存储技术革新做出更大的贡献。我们相信，在致真存储团队的共同努力下，公司的未来将更加辉煌。